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DVD타이틀, 하드디스크에 보관하기

기쁨조미료25 2007. 11. 26. 07:47
DVD타이틀, 하드디스크에 보관하기.

테라바이트 HDD 시대 열렸다...업체별 전략과 인터뷰

‘100만 권의 e북 ? MP3 25만곡 ? 영화 500편을 담을 수 있는 용량’… 업체별 전략은?

1956년 IBM이 디지털 데이터를 저장할 수 있는 하드디스크를 처음 선보였다. 그 후 50년이 지난 지금, 1TB의 데이터를 저장할 수 있는 하드디스크가 마침내 등장했다. 처음 선보인 하드디스크는 방 한 칸을 차지할 만큼 거대한 설치 공간이 필요했지만 용량은 5MB에 불과했다. 이제 50년 만에 방 한 칸의 크기였던 하드디스크는 3.5인치의 크기로 축소됐고, 용량은 200만 배로 늘어났다.


최초의 하드디스크였던 IBM RAMAC은 지름이 24인치나 되는 디스크가 50장이나 들어갔지만 저장 용량은 겨우 5MB였다

이런 용량 증가는 단순 데이터 저장 공간을 늘려서 되는 것이 아니다. 지난해 10월 씨게이트가 처음으로 500GB용량의 하드디스크를 출시했을 때만 해도 기존 기록 방식으로의 공간 확보는 한계에 도달했다는 분석이 지배적이었다. 하지만 500GB 용량의 하드 디스크가 출시한지 1년도 지나지 않아 750GB 용량의 하드디스크가 등장했다. 용량이 커진 이유는 무엇일까?


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64비트 윈도 보급 지연이 플래쉬 메모리 SSD 가속화 하드디스크

2007/09/10 00:23

http://blog.naver.com/gold4949/60042030480



고토 히로시무의Weekly 해외 뉴스

64bit 판Windows 보급의 지연이 플래쉬 메모리의 침투를 재촉한다




●캐쉬가 된다DRAM (이)라고 테이프가 된다HDD

 PC 의 메모리& 스토리지 계층의 역할이 바뀌고 있다.DRAM 메인 메모리는 디스크 캐쉬 프로그램적인 역할로 바뀌고 있고,HDD (은)는 광학 디스크나 자기테이프의 위치에 가까워지고 있다.그리고, 그 중간에서 플래쉬 메모리등의 불휘발성 메모리(NVM:Non-Volatile Memory) 하지만 디스크의 역할을 담당할 가능성이 나와 있다.

 이 변화를 좀 더 자세하게 설명하면 다음과 같이 된다.이전에는, 랜덤 억세스의 빠르다DRAM 메인 메모리가, 프로그램의 실행 메모리였다.그리고, 어느 정도의 랜덤 억세스 성능과 고속의 시퀸셜 액세스 성능을 가진다HDD 하지만, 데이터와 프로그램의 파일을 격납하는 디스크 드라이버.시퀸셜 액세스는 좋지만 랜덤 억세스가 늦은 테이프나 광학 드라이브가, 대용량의 데이터를 격납하는 외부 스토리지였다.

 그러나, 향후의PC 의 메모리& 스토리지 계층에서는, 미묘하게 역할이 달라 온다.프로그램을 실질적으로 실행하는 메모리 영역은, 대용량화했다CPU 의 on-chip 캐쉬SRAM (이)가 되고 있다.프로그램의 대부분이, 실질적으로 캐쉬에 들어가 버리기 때문이다.랜덤 억세스 성능의 높다DRAM 메인 메모리는, 여전히 실행 메모리라고 하는 위치설정이지만,CPU (으)로부터 상대적으로 멀어졌다.그 때문에, 말로서는 모순되지만, 역할로서는 캐쉬SRAM 에 대한 대용량 캐쉬적인 색채를 강하게 하고 있다.한편, 시퀸셜 액세스에 대해서 랜덤 억세스 성능이 주춤했다HDD (은)는, 한 때의 테이프나 광학 드라이브에 들른 위치에 점점후퇴하고 있다.




그 때문에,Microsoft (은)는,DRAM 메인 메모리와HDD 의 사이에, 새롭게 불휘발성 메모리(NVM) (을)를 메모리 계층으로서 글 사이에 삽입된 어구 싶다고 생각하고 있다.이상적이게는, 랜덤 억세스가 적당히 빠르고,DRAM 보다 용량 단가가 훨씬 싼, 새로운 디스크로서의 특성이 불휘발성 메모리에는 기대되고 있다.메모리 계층안에서, 뻥빈 갭을 묻는 것이다.그러나, 현실의NAND 플래쉬 메모리는, 그 목적으로 완전하게 합치하는 것은 아니다.그 때문에, 하이브리드화했다SSD(Solid State Drive) 솔루션이나, 새로운 불휘발성 메모리의 개발등이 진행되고 있다.
메모리레인의 진화
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●용량>대역>지연시간의 차례로 성장한다HDD

 Microsoft (이)나Intel (은)는 메모리 계층이 깊어지려 하고 있다.그 이유는, 현재의 메모리 계층의 상태로는, 향후,PC 의 퍼포먼스 향상을 유지할 수 없기 때문이다.

 Microsoft 에 의하면, 그 이유는,(1)CPU 퍼포먼스와 스토리지의I/O 퍼포먼스 갭의 확대,(2) 스토리지측의 시퀸셜 액세스와 랜덤 억세스의 퍼포먼스 갭의 확대,(3) 클라이언트Windows 의64-bit 화의 지연 , 등에 있다고 한다.

스토리지의 거대화와 요망
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 HDD 의 용량은, 과거10 연간의 평균으로 보면, 무어의 법칙을 넘는 페이스로 성장해 와있었다.그런데 , 전송 레이트의 성장은, 디스크 용량의 성장에 대해 갈 수 있지 없었다.비유하면, 콘서트 홀은 크게 했는데, 거기에 캬쿠를 들어갈 수 있는 입구는, 석 수의 성장에 알맞을수록 넓어지지 않은 상황이다.그 때문에, 홀을 가득 채울 수 있을 만한 손님을 출납하는데, 보다 시간이 걸리게 되어 버렸다.

 게다가 대역의 성장에 대해서, 지연시간의 단축은 아득하게 지연을 취하고 있다.즉, 엔트런스로부터 홀까지의 루트는 단축되어 있지 않다.그 때문에, 손님에게 있어서는, 회장이 커져도, 편리함은 변하지 않다.

고속화에의 제약
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 이와 같이,HDD 의 각 요소의 성장은 「용량>대역>지연시간」이라고 하는 상태가 되어 있다.그 때문에,CPU 퍼포먼스와HDD 스토리지의I/O 퍼포먼스의 갭은 자꾸자꾸 확대하고 있다.아래는Intel 하지만Intel Developer Forum(IDF) 07 Spring 그리고 나타내 보였다CPU (와)과HDD 의 퍼포먼스의 신장율의 갭이다.HDD 의 지연시간이 별로 개선되어 있지 않기 때문에, 디스크의 랜덤 억세스 성능의 지표이다IOPS(I/O per Second) (은)는, 과거10 연간이라도 불과 밖에 성장하지 않았다.그에 대해CPU (은)는 반도체 제품이므로, 프로세스 기술이 진보하면, 무어의 법칙의 지수함수적인 커브에 따라서, 자꾸자꾸 퍼포먼스가 올라간다.기계 제품이다HDD 에 큰 차이를 내게 되었다.

CPU 및HDD 고속화의 비교도
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 IOPS (은)는 일정한 단위의I/O 액세스의 처리 능력이기 위해, 데이터를 전송 하기 위해서 필요한 평균 액세스 시간과 데이터 전송 시간의 합계에 반비례 한다.HDD 의 경우는, 데이터에의 액세스를 위해서는 헤드를 물리적으로 움직이는, 물리적인 제약이 있어 단축이 어렵다.유일한 해결책은 드라이브에 탑재하는 캐시 기억 장치의 양을 늘리는 것 뿐이다.

지연시간에 지배되는 전송 속도의 전형예
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 이렇게 해 보면,HDD (은)는 시퀀셜에 데이터 액세스 하는 경우에는 여전히 고속이지만, 랜덤 억세스에서는CPU (으)로부터 보았을 경우에 상대적으로 저속이 되고 있는 것을 알 수 있다.즉, 테이프나 광학 디스크와 같은, 랜덤 억세스가 저속인 storage device에, 보다 가까워지고 있다고 한다.

●64 비트OS 의 보급의 지연이 플래시의 도입을 재촉했다

 이러한 사정으로부터,PC (은)는,CPU (으)로부터 멀어지는 한편의HDD (와)과의 갭을 묻기 위해서, 보다 많은 데이터와 프로그램을, 더 액세스 하기 쉬운,CPU (으)로부터 보고 가까운 메모리에 가져오는 필요하게 몰리고 있다.종래는, 이 역할은DRAM 의 메인 메모리가 지고 있었다.그러나, 이번은 상황이 차이가 난다.

 우선,DRAM 의 대용량화는 이전과 비교하면 페이스가 떨어지고 있다.몇년전까지는3 해에4 배(2 해에1.5 배) (이었)였던 것이, 현상은2 해에2 배다.또, 소프트웨어 측에도DRAM 메인 메모리를 계속 늘리는 것이 어려운 사정이 있다.거기에DRAM 보다 코스트적으로 좋은 솔루션으로서NAND 하지만 나왔다.

 Microsoft 그리고 스토리지 아키텍쳐를 담당한다Vlad Sadovsky 씨(Software Storage Architect, Microsoft) 하지만,7 달에 개최된 메모리와 스토리지의 컨퍼런스 「MEMCON07 San Jose 」(으)로 그 근처의 사정을 말했다.Sadovsky 씨에 의하면,Microsoft 하지만Windows Vista 그리고 플래쉬 메모리를 서포트한 큰 이유의1 개는,Windows 플랫폼의64-bit 화의 지연에 있다고 한다.

 본래적으로는,OS 의64-bit 화가 순조롭게 진행되면,DRAM 메인 메모리의 탑재량을 늘려 퍼포먼스를 향상시키는 것도 가능했다.메인 메모리DRAM 의 양을 계속 늘릴 수 있으면, 저속인 스토리지로부터 메인 메모리에 필요한 데이터를 예측하는 것으로 퍼포먼스를 계속 올릴 수 있다.

 그러나, 클라이언트PC 그럼, 유저의OS 의 주류는 여전히32-bit 판에 머물고 있다.그 때문에, 클라이언트PC (으)로의DRAM 의 탑재량을, 지금까지와 같이 일정한 페이스로 올려 가는 것이 어렵다.Microsoft (은)는, 클라이언트OS (은)는, 아직 당분간은32-bit 에 머문다고 예측하고 있는 것 같다.

 이것은DRAM 벤더에 있어서 배드 뉴스이지만,CPU 메이커에 있어서도두가 아픈 문제다.메모리 탑재량이 막힌 채로는,CPU (으)로부터 보다 멀어졌다HDD 에의 액세스가 상대적으로 증대해 가,PC 의 퍼포먼스가 한계점 도달이 될 가능성이 나오기 때문이다.그 때문에,DRAM (와)과HDD 의 사이에, 중간층의 대용량 캐쉬(HDD 안의 캐쉬DRAM 보다 대용량의 캐쉬) (을)를 도입해야 하게 된다, 라고 하는 것이Microsoft 의 기본적인 생각이다.

●불휘발성 메모리를 계층에 끼우는 것은 자연스러운 흐름

 그 타이밍으로,NAND 플래쉬 메모리가 대용량화& 저가격화해 왔던 것이Microsoft 의 신전략의 원동력이 된 것은 실수가 없다.NAND 하1 해에 약2 배의 페이스로 대용량화를 계속하고 있어3 해에4 배로부터2 해에2 배의 페이스에까지 떨어졌다DRAM (을)를 크게 넘고 있다.대용량화가 진행되는 것으로,NAND 의 용량 당의 코스트는,2002 년경에DRAM (을)를 밑돌게 되어,Microsoft 하지만Windows Vista 그리고 플래시를 서포트할 때에는1/5 정도가 되었다.

메모리 기술의 움직임
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NAND 플래시의 가격 추이
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 용량 당의 코스트를 생각하면,DRAM 보다 유리한 메모리를,HDD (와)과DRAM 의 사이에 끼우려고 하는 것은, 자연스러운 흘러 라고도 말할 수 있다.또 불휘발성의 플래시에서는, 휘발성의DRAM 그럼 할 수 없는 사용법( 부트시의 고속화 등) 하지만 할 수 있다.

 이렇게 하고,Microsoft 의 스토리지 부문이 그리는 구상을 보면,PC 의 구성의 다시 결말을 내기에 가까운, 메모리 구성의 전환을 생각하고 있는 것을 알 수 있다.이상의 시나리오대로에 간다면, 향후의PC (은)는,DRAM 메인 메모리의 용량 증가는 멈추지만, 그 아래에 의해 염가의 불휘발성 메모리로 캐쉬해,TB 클래스의HDD (와)과의 보간을 하게 된다.DRAM 메인 메모리의 용량 확대에 소비해 온 코스트를, 불휘발성 메모리의 탑재에 소비하면 바꿔 말해도 좋다.

 또, 데이터의 구조도, 그러한 계층이 적합한 형태로 변화하고 있다.디스크상의 데이터는, 빈번히 읽고 쓰기되는 핫인 오부분과 연속적인 액세스가 가끔 행해질 만한 콜드인 대부분 로 분리하고 있기 때문이다.Microsoft 에 의하면,5% 의 데이터가60% 의IO 액세스를 차지하고 있다고 한다.이5% (을)를 캐쉬하면,IO 액세스는 극적으로 개선되게 된다.

 HDD 자체도, 대역 이상으로 용량이 증대했기 때문에, 보다 콜드인 디바이스가 되고 있다.단위 용량 당의IOPS (은)는 줄어 들고 있어 디스크 평균으로 보면 액세스의 밀도가 줄어 들고 있다.

 이러한 구조에 있기 위해, 핫 스포트를 캐쉬하는 것으로, 어플리케이션을 고속화할 찬스가 커지고 있다.물론, 큰 스트림 데이터에서는 의미가 없지만, 그러한 데이터는 시퀀셜인 액세스가 되므로,HDD 의 약점은 노출하지 않는다.

●불휘발성 메모리의 사상과 현실이 질질 꺼라

 다만, 우에에 둔 불휘발성 메모리를 사이에 둔 메모리 계층의 스토리는, 이상적인 케이스의 이야기로, 현실에는 그렇게는 가지 않는 면도 있다.

 불휘발성 메모리(NVM) 에는, 많은 구가해 불평이 있다.저지연시간의 액세스가 가능하고, 용량 당의 코스트는HDD 보다는 높지만,DRAM 보다 낮다.IOPS 당의 코스트는HDD 보다 낮다.그 때문에, 일정한 랜덤 작업의 부담량에 대한 시스템 코스트를 내릴 수 있다.

 또, 현재의 시스템으로 최대의 문제인 소비 전력도 낮고,HDD (와)과 비교하면 고장율이 낮기 때문에TCO 도 내릴 수 있다.퍼포먼스 커브가 스무스하고 예측하기 쉽다.이것은 서버로의 이용으로의 이점이 된다.

Solid state storage 의 신뢰성
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 그러나, 현실의NAND 플래시는, 이러한 이상의 불휘발성 메모리의 시나리오에 합치하지 않는 부분이 있다.최대의 문제는 써 성능, 특히, 랜덤 기입이 늦은 것에 있으면Microsoft 의Sadovsky 씨는 지적한다.또, 기입 가능 회수나 데이터 보관 유지 기간의 제약이 있는 것도 큰 벽이다.이것은, 원칙으로서 거의 무제한하게 개서를 할 수 있다HDD (이)나DRAM (와)과의 결정적인 차이다.코스트도3.5 인치HDD (와)과 비교하면 상대적으로 꽤 높지만, 이것은 앞으로 당분간 개선이 계속 될 전망이다.보다 근본적인 문제로서는, 인터페이스가 표준화 되지 않고, 메모리의 아키텍쳐 자체도, 이번,NAND 하지만 융성해 온 것처럼 비교적 짧은 사이클로 바뀔 가능성이 있는 것을 들 수 있다.

미도달의 영역
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 정리하면,PC 의 메모리& 스토리지의 계층안에서, 디스크 스토리지는 자꾸자꾸CPU (으)로부터 멀어지고 있다.그것을 묻기 위해서, 메모리 계층을 깊게 하려는 요구가 증가하고 있어 불휘발성 메모리(NVM) (을)를 사이에 두는 구상이 본격화하고 있다.거기에, 급속히 대용량화했다NAND 플래쉬 메모리가 부상해 왔다.

 그러나,NAND (은)는, 이상의 불휘발성 메모리로서는 부족하는 부분이 있어, 사용법은 꽤 제약된다.성능면에서는,CPU (으)로부터의 액세스 시간에 보았을 경우,DRAM (와)과HDD 의 사이를 묻으려면 ,NAND (은)는 너무 먼 것이 벽이 되고 있다.현상에서도,HDD 보다 유리하기는 하지만, 이상적이게는, 더 쭉 고속으로 ,CPU 에 의해 가까운 메모리가 바람직하고 있다.

●용량면에서는 유리한MLC NAND 의 불리를 커버

 NAND 플래시를PC 메모리 계층에 끼우는 경우, 기본적으로는 리드 강렬한 사용법에서는 성능을 발휘할 수 있지만, 란담라이트인텐시브가 되면 효과가 얇다.Microsoft 도, 그것을 이해한 다음의 사용법을 하고 있다.

 또, 이러한 제약은,NAND 중(안)에서도,1 개의 메모리 셀에2 값의 데이터를 보관 유지하는 「MLC( 멀티 레벨 셀) 」형태가 힘들다.1 개의 메모리 셀에1 비트를 보관 유지하는 「SLC( 싱글 레벨 셀) 」형태가, 기입은 고속으로 , 기입 가능 회수 등도10 배이상 길다.특히, 랜덤 라이트는MLC (분)편이 훨씬 불리하게 되기 위해, 디스크 대체로서 사용하려면 힘들다.

1.8 인치HDD (을)를 읽고 쓰기 속도로 웃돈다SSD
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읽고 쓰기 속도 및 내구성에 대한다bit 근처의 코스트라는 비교
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 그런데 , 팁 당의 데이터 용량에서는MLC (분)편이SLC 보다 단연 유리하다고 된다.SLC (와)과 동용량을 약60% 의 팁 면적으로 실현될 수 있기 때문이다.그 때문에, 같은 용량이라면SLC (분)편이MLC 보다 비교적 비싸게 된다.

 코스트를 생각하면,MLC (분)편이 스토리지에서는 매력이 크지만, 퍼포먼스와 신뢰성을 생각하면SLC 하지만 좋다고 하는 트레이드 오프가 있다.SSD 의 대부분이SLC (을)를 사용하고 있는데는, 그러한 이유가 있다.그러나,SLC (으)로부터MLC 에는, 이1 해에 급속한 전환이 시작되어 있어 향후는, 용량면에서의 이점을 늘리려고 하면, 코스트적으로는MLC (을)를 사용하지 않을 수 없다.

MLC (와)과SLC 의 가격차의 변천
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 그 때문에, 현실해로서는,NAND 플래시, 특히MLC 의 약점을 커버할 필요가 나와 있다.중간해로, 퍼포먼스면에서는,SLC (와)과MLC (을)를SSD 레벨 혹은 팁 레벨로 혼재하는 하이브리드화가 있다.개서가 빈발하는 핫 데이터는SLC 위에 배치해, 읽기 주체의 데이터는MLC 위에 배치하는 것으로, 퍼포먼스와 용량의 양쪽 모두를 실현한다.같이DRAM (을)를MLC (와)과 조합하는 해도 있다.

 한편, 개서 가능 회수에 대해서는, 「Wear-Leveling 」(을)를 콘트롤러 레벨로 도입할 방향에 있다.통상의 유세이지에서는, 디스크상의 같은 장소를 빈번히 고쳐 쓸 가능성이 높다.그 경우, 플래시에서는, 특정의 메모리 셀만이 개서 가능 회수의 한계에 이르러 버릴 가능성이 있다.Wear-Leveling 그럼, 데이터의 개서가, 메모리 셀 어레이 전체에 균일하게 분산하도록(듯이) 제어한다.

 MobileMark 의 유세이지시나리오에서는, 데이터의 개서량은1 일조4.8GB .이것을 균일화하면,16GB 의SSD (이)라면 전체를 고쳐 쓰기까지3.34 일 걸린다.개서 가능 회수가1 만회의MLC 에서 만나도,100 해 가깝게 유지하는 계산이 된다.

●메모리 업계의 성배는DRAM 보통의 불휘발성 메모리

 이러한 근처가 현재의 해이지만, 보다 앞의 전개를 보면, 더 많은 다양한 해를 상정할 수 있다.

 우선,NAND 보다 성능이 높은 불휘발성 메모리는, 이전부터 모색되고 있다.예를 들면, 「Phase Change Memory(PCM) 」(와)과 같은, 신흥의 불휘발성 메모리를MLC NAND (와)과 하이브리드화한다.혹은, 신흥 불휘발성 메모리가NAND 에 대항할 수 있는 용량을 가지도록(듯이) 완만한들 ,NAND 대신에 그 메모리를 가져온다.덧붙여서,NAND 플래시도, 수년후에는 플로팅 게이트 구조의 한계를 맞이하고, 메모리 셀 아키텍쳐의 전환이 필요해, 특성이 변화한다고 보여지고 있다.

 더 근본적으로, 시스템 전체의 메모리 계층을 바꾸는 일도 생각할 수 있다.예를 들면,DRAM 하CPU 에 다이스탁킹으로 붙여 맞추어 패키지의 밖의 메모리는 불휘발성 메모리로 바꾸어 버린다.이 경우는,DRAM (와)과 포토수를 늘리고,CPU (와)과DRAM 의 거리를 가까운 시일내에 해 캐쉬SRAM 의 양을 억제한다.DRAM 메모리 용량은 제약되지만, 그 만큼, 대용량의 불휘발성 메모리로 캐쉬한다.이미지로서는,L2/L3 (와)과DRAM 의 부분을 융합시키고, 디스크로부터의 캐쉬에 사용하고 있다DRAM 의 부분은 불휘발성 메모리와 융합시킨다, 라고 하는 형태가 된다.

 그 전에는,DRAM 의 대체에 불휘발성 메모리를 가져올 가능성도 있다.불휘발성 메모리를 실행 메모리로서 사용하는 것이다.이것은, 휴대 전화등에서의NOR 형태 플래쉬 메모리의 사용법과 같게 된다.그 경우는, 인터페이스는DRAM 하지만, 메모리 셀은 불휘발성 메모리라고 하는 어프로치도 생각할 수 있다.

 메모리 업계에는“성배”, 즉, 계속 요구하고 있는 궁극의 기술이 있다.그것은,DRAM 보통의 불휘발성 메모리다.DRAM 보통의 액세스 성능, 신뢰성, 코스트, 용량을 실현할 수 있는 불휘발성 메모리를 요구하고 있다.그것이 실현되면,DRAM 의 대체에 불휘발성 메모리를 가져올 수도 있다.혹은,DRAM 하지만 막히면, 불휘발성 메모리가 따라잡을 가능성도 있다.

성배(= 궁극의 기술) (을)를 요구해
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 그렇게 되면, 튜링 기계의 사고실험과 같이, 실행 메모리와 스토리지의 구별이 없는, 붙어 있음의 메모리도 가능하게 된다.그러자(면), 스토리지상의 파일을, 메모리상에서 전개해 실행한다고 한, 현행의 아키텍쳐도 없어질지도 모른다.다만, 그것은 실현된다고 해도, 꽤 앞의 이야기가 될 것이다.

□관련 기사
【9 월4 일】【해외】PC 의 메모리 계층의 변혁을 전망한다Microsoft (와)과Intel
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0904/kaigai383.htm
【8 월10 일】【해외】6.4Gbps (을)를 노리는 차례차례 세대 메모리 「NGM Diff 」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0810/kaigai380.htm
【8 월7 일】【해외】갈림길에 접어든다DDR3 모듈
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0807/kaigai379.htm
【8 월6 일】【해외】3.2Gbps (을)를 노리는 차례차례 세대 메모리 「DDR4 」
http://pc.watch.impress.co.jp/docs/2007/0806/kaigai378.htm

백 넘버

(2007 년9 월10 일)

[Reported by 고토 홍무(Hiroshige Goto)]